[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202010103533.8 | 申请日： | 2020-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN111613541A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 拉马肯斯·阿拉帕蒂;达雷尔·贝克;安东尼·大桂诺 | 申请（专利权）人： | 安靠科技新加坡控股私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01S5/028 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置和制造半导体装置的方法。封装电子装置结构包含具有主表面的衬底。半导体装置连接到衬底的主表面，半导体装置具有第一主表面、与第一主表面相对的第二主表面，以及在第一主表面与第二主表面之间延伸的侧表面。封装体包封半导体装置的一部分，其中半导体装置的侧表面通过封装体的侧表面暴露。在一些实例中，半导体装置的侧表面是有源表面。在一些实例中，封装体包括模制结构，模制结构接触并覆盖半导体装置的第一主表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安靠科技新加坡控股私人有限公司，未经安靠科技新加坡控股私人有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010103533.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于排放控制装置加热的方法和系统
- 下一篇：由钼-铝-钛合金制成的模制品
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
