[发明专利]磁畴壁移动元件和磁记录阵列有效
| 申请号： | 202010103970.X | 申请日： | 2020-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN111613721B | 公开（公告）日： | 2023-08-01 |
| 发明（设计）人： | 芦田拓也;佐佐木智生;柴田龙雄 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/01;H10B61/00;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供磁畴壁移动元件和磁记录阵列。本实施方式的磁畴壁移动型磁记录元件包括：第一铁磁性层、磁记录层、非磁性层以及第一电极和第二电极，第一电极包含磁化取向在与第一铁磁性层的磁化的朝向不同的方向的磁性体，磁记录层具有：与第一电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第一区域；与第二电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第二区域；以及被第一区域和第二区域夹着的第三区域，第一区域的与第一电极对置的第一部分的面积比第二区域的与第二电极对置的第二部分的面积大，第一铁磁性层在第一方向上与第一电极和第二电极的一部分重叠。本发明中电阻变化幅度大。 | ||
| 搜索关键词： | 磁畴壁 移动 元件 记录 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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