[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010106129.6 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN112510092A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 雁木比吕 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及半导体装置。提供能够降低导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体层；栅电极，位于第1沟槽中；场板电极；金属区域，位于第2沟槽中，与第2半导体区域电连接；栅极绝缘层，位于栅电极与半导体层之间；场板绝缘层，位于场板电极与半导体层之间；第1电极，与第3半导体区域及金属区域电连接；以及第2电极，该半导体层具有：第1沟槽；第2沟槽，与第1沟槽交叉；第1导电类型的第1半导体区域；第2导电类型的第2半导体区域；以及第1导电类型的第3半导体区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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