[发明专利]基片处理方法和基片处理装置在审
| 申请号： | 202010106983.2 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN111627806A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 熊仓翔;笹川大成;户村幕树;木原嘉英 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/67;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理装置实现的基片处理方法包括步骤a)和步骤b)。步骤a)是对被处理体局部地进行蚀刻，形成凹部的步骤。步骤b)是在凹部的侧壁形成沿凹部的深度方向而厚度不同的膜的步骤。步骤b)包括步骤b‑1)和步骤b‑2)。步骤b‑1)是供给第1反应物，使第1反应物吸附到凹部的侧壁的步骤。步骤b‑2)是供给第2反应物，使第1反应物与第2反应物反应而形成膜的步骤。本发明能够抑制半导体图案的形状异常。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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