[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 202010108670.0 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN112447205B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 塚本隆之;古桥弘亘;杉本刚士;小村政则 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06;G11C5/14;G11C7/18;G11C8/14 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种能够较好控制的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：多条第1布线；多条第2布线，与多条第1布线交叉；及多个存储单元，设置在多条第1布线及多条第2布线之间，且具备阻变层、及包含硫族元素的非线性元件层。在置位动作中，对多条第1布线中的一条、及多条第2布线中的一条之间供给置位脉冲。在复位动作中，对多条第1布线中的一条、及多条第2布线中的一条之间供给复位脉冲。在第1动作中，对多条第1布线中的一条、及多条第2布线中的一条之间供给第1脉冲。第1脉冲具备比置位脉冲的振幅及复位脉冲的振幅中的较大振幅更大的振幅，或者具备与较大的振幅相同的振幅及比置位脉冲的脉冲宽度更大的脉冲宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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