[发明专利]一种鳍型结构的功率MOSFET及其制备方法有效
| 申请号： | 202010109407.3 | 申请日： | 2020-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN111312821B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 黄平;鲍利华;顾海颖 | 申请（专利权）人： | 上海朕芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 吕伴 |
| 地址： | 201414 上海市奉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种鳍型结构的功率MOSFET，包括衬底、成型在衬底正面上的外延层、若干间隔且平行成型在所述外延层上的鳍型硅墙、成型在所述相邻鳍型硅墙之间的掺杂多晶硅层、成型在掺杂多晶硅层正面上且位于相邻鳍型硅墙之间的BPSG层以及覆盖在鳍型硅墙顶部和BPSG层顶部的金属布线层；鳍型硅墙包含成型在所述衬底正面上的外延硅片层、成型在所述外延硅片层上的P‑Well层和成型在所述P‑Well层正面的N+区域或/和P+区域；所述N+区域或/和P+区域用金属布线层连接。本发明还公开了该鳍型结构的功率MOSFET的制备方法。本发明极大缩小之前传统功率MOSFET多晶硅Trench之间的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 功率 mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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