[发明专利]半导体结构制备方法和半导体结构有效
| 申请号： | 202010110965.1 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113299651B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 鲍锡飞;储瑶瑶 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构制备方法和半导体结构。本发明中，半导体结构制备方法包括：提供基底并刻蚀基底形成凹槽；在凹槽侧壁形成第一介质层；在凹槽底部和第一介质层内表面形成第一电极；在第一电极表面形成第二介质层；在第二介质层表面形成第二电极。本发明通过在沉积第一电极之前预先沉积第一介质层，将第一电极隔离，避免在凹槽侧壁出现凹陷时使得相邻两个凹槽内的第一电极相连接而导致短路。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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