[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质在审
| 申请号： | 202010111245.7 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN111653502A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 高山和也;鹤崎广太郎;山下浩司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽的多个基片移动至比处理液的液面靠上方处。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气。控制部使释放部释放有机溶剂的蒸气的释放位置随着多个基片的上升而上升。本发明在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，提高处理液与有机溶剂的置换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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