[发明专利]半导体器件、芯片、设备和制造方法在审
| 申请号： | 202010111560.X | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113299732A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 陈道坤;史波;曾丹;敖利波 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李浩;王莉莉 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体器件、芯片、设备和制造方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：碳化硅衬底；在碳化硅衬底上的碳化硅漂移层，该碳化硅漂移层包括具有第一导电类型的第一掺杂区、和在第一掺杂区中的具有第二导电类型的第二掺杂区和第三掺杂区，其中，第二导电类型与第一导电类型相反，第三掺杂区与第二掺杂区邻接，第三掺杂区的掺杂浓度小于第二掺杂区的掺杂浓度；与第二掺杂区连接的第一金属层；与第一金属层连接的第一电极；以及在碳化硅衬底的远离碳化硅漂移层的一侧的第二电极。该半导体器件具有比较低的导通压降和较强的抗浪涌电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 芯片 设备 制造 方法 | ||
【主权项】：
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