[发明专利]修复电路、存储器和修复方法在审
| 申请号： | 202010111701.8 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113299336A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张良 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 200051 上海市长宁区虹桥路143*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种修复电路、存储器和修复方法，涉及半导体存储器技术领域。修复电路配置于包括正常存储区域和冗余存储区域的存储器中，冗余存储区域包括与正常存储区域紧邻的目标修复单元，修复电路用于控制目标修复单元对正常存储区域中异常存储单元进行修复，该修复电路包括：第一控制电路，用于接收行地址中由低到高目标数量位的信号，对目标数量位的信号进行处理，得到控制结果并输出；其中，目标数量与目标修复单元中字线数量相关联；修复确定模块，与第一控制电路的输出端连接，用于接收控制结果，并结合控制结果输出是否执行修复操作的修复信号。本公开可以提高存储器的冗余存储区域的利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 修复 电路 存储器 方法 | ||
【主权项】：
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