[发明专利]发光二极管、包括多个发光二极管的像素及其制造方法在审
| 申请号： | 202010112136.7 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN111613712A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 希勒斯·勒·布列文内克;摆的海斯·本·巴基尔 | 申请（专利权）人： | 法国原子能及替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L33/58 | 分类号： | H01L33/58;H01L33/60;H01L33/50;H01L27/15 |
| 代理公司： | 中国商标专利事务所有限公司 11234 | 代理人： | 桑丽茹 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电装置(110G，110R)，其包括适合于发射辐射的LED，并且LED包括有源层(105)，并且光电装置(110G，110R)包括在LED的有源层(105)上方延伸的转换层(134G，134R)，并且转换层(134G，134R)包括适合于转换由LED发射的辐射的多个荧光团，其中转换层(134G，134R)被镜(133)横向地限制，该镜既反射由荧光团转换的辐射，又反射未由荧光团转换的辐射，并且转换层(134G，134R)垂直地被限制在第一(131G，131R)和第二(132G，132R)多层反射滤光器之间，形成谐振法布里‑珀罗腔，该法布里‑珀罗腔阻挡未由荧光团转换的辐射，并具有对于由荧光团转换的辐射的透射率峰。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 包括 像素 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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