[发明专利]制造功率半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010113045.5 | 申请日： | 2013-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN111490097A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 金虎铉;许承培;宋承昱;朴廷桓;杨河龙;金仁洙 | 申请（专利权）人： | 美格纳半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/66;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;王鹏 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及制造功率半导体器件的方法，其包括：在基底上形成第一外延层和其上的第二外延层；在第二外延层上执行低浓度N型掺杂剂的掺杂扩散工艺以形成低浓度N型掺杂区域；在第二外延层上执行低浓度P型掺杂剂的掺杂扩散工艺以形成低浓度P型掺杂区域；在第二外延层上执行高浓度P型掺杂剂的选择性掺杂扩散工艺以形成高浓度P型掺杂区域；在第二外延层上执行高浓度N型掺杂剂的选择性掺杂扩散工艺以形成高浓度N型掺杂区域；在第二外延层中形成通过高浓度N型掺杂区域的沟槽；沿沟槽的表面形成栅极绝缘层；在沟槽内形成栅电极；在第二外延层上形成层间绝缘层；在第二外延层的表面上形成发射电极和通过研磨工艺完全去除基底以使第一外延层暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 功率 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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