[发明专利]用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的方法及装置有效
| 申请号： | 202010113277.0 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN111115637B | 公开（公告）日： | 2023-08-11 |
| 发明（设计）人： | 杨典;万烨;赵雄;孙强;王芳;付强;裴蕾;张征 | 申请（专利权）人： | 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁文惠 |
| 地址： | 471023 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于高纯氯硅烷生产中去除含碳杂质的方法及装置。其中，该方法包括以下步骤：S1，将三氯氢硅原料在精馏装置中脱去高沸点组分和低沸点组分，得到精馏三氯氢硅；S2，将精馏三氯氢硅送入吸附装置中去除甲基氯硅烷，得到高纯氯硅烷；其中，吸附装置中填充有富含氨基的树脂型吸附剂和铂系催化剂。应用本发明的技术方案是利用与甲基氯硅烷具备亲和力的富含氨基的树脂型吸附剂，在铂系催化剂作用下，将甲基氯硅烷杂质去通过吸附工艺去除掉，从而将多晶硅生产过程中精馏产品的总含甲基氯硅烷杂质含量降低到50ppb以下，生产出高纯度4N以上，含碳杂质＜50ppb的高纯氯硅烷。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高纯 硅烷 生产 去除 杂质 方法 装置 | ||
【主权项】：
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