[发明专利]沟槽式金属氧化物半导体场效应管器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010113782.5 | 申请日： | 2020-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113035931B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 刘莒光;罗祎仑 | 申请（专利权）人： | 杰力科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 罗英;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾新竹县*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管器件及其制造方法。所述器件包括基板、具有第一导电型的外延层、位于外延层中的沟槽内的栅极、栅氧化层、具有第一导电型的源极区、具有第二导电型的本体区与抗击穿掺杂区。抗击穿掺杂区是位于本体区与源极区的界面，且其掺杂浓度高于本体区的掺杂浓度。外延层具有接近源极区的第一pn结和接近基板的第二pn结。以两个pn结之间划分为N等分的N个区域，N是大于1的整数。所述N个区域内的掺杂浓度愈接近第一pn结愈大。所述N个区域分别具有一掺杂浓度积分面积，且所述N个区域中愈接近第一pn结的区域的掺杂浓度积分面积愈大。通过抗击穿掺杂区使该处具有陡峭的浓度分布，因此改善器件的UIS能力。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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