[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件包括在半导体器件的衬底之上沿垂直方向堆叠的一串晶体管。该串可以包括第一子串、设置在第一子串之上的沟道连接体和第二子串。第一子串包括第一沟道结构，该第一沟道结构具有沿垂直方向延伸的第一沟道层和第一栅极电介质结构。第二子串堆叠在沟道连接体之上，并且具有第二沟道结构，该第二沟道结构包括沿垂直方向延伸的第二沟道层和第二栅极电介质结构。电耦合第一和第二沟道层的沟道连接体设置在第二栅极电介质结构下方，以使得能够在第二沟道层的底部区域中形成导电路径。底部区域与第二子串中的最下面的晶体管相关联。