[发明专利]一种GaN纵向逆导结场效应管有效
| 申请号： | 202010115155.5 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111293176B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 周琦;董志文;魏鹏程;马骁勇;熊娓;杨秀;刘熙;陈万军;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，涉及GaN纵向逆导结场效应管。本发明利用器件顶层两个背靠背的PN结形成JFET结构来控制沟道的开启和关断，且利用肖特基金属淀积在一侧的P‑GaN上形成逆导二极管的阳极。通过适当的控制沟道宽度和PN结的掺杂浓度可以实现对器件阈值电压的控制。另外，位于肖特基阳极下方的浮空P型GaN埋层在GaN漂移区引入了反偏PN结，该反偏PN结在承受反向耐压时其耗尽区不断扩展使该器件体内电场分布均匀，有效降低器件内部最大峰值电场。本发明的有益效果为，在正向开关工作状态下，具有阈值电压可调，导通电阻低、饱和电流大、关态耐压高和低功耗等优点；在逆导工作状态下，具有开启电压低、导通电阻低，反向耐压大和低功耗等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 纵向 逆导结 场效应 | ||
【主权项】：
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