[发明专利]一种键合结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202010115676.0 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111293109B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 占迪;胡杏;刘天建;胡胜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L21/98 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘晓菲 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种键合结构及其制造方法，由多层晶圆依次键合形成的晶圆堆叠，晶圆堆叠上阵列排布有芯片堆叠，所述芯片堆叠包括依次键合的多层芯片，芯片堆叠中形成有电引出结构，通过在芯片堆叠中形成电连接各层芯片中互连层的全引出结构，可以对整个芯片堆叠进行电性能测试，通过电连接的部分层芯片中的部分引出结构，可以对芯片堆叠中的部分层芯片进行电性能测试，和/或电连接单层芯片中互连层的单引出结构，可以对芯片堆叠中的单层芯片进行电性能测试，从而实现对芯片堆叠中单层或多层芯片的电性能测试，进而得到失效芯片的具体位置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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