[发明专利]一种优化电特性的DMOS及其制造方法在审
| 申请号： | 202010116585.9 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111276544A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 李加洋;胡兴正;薛璐;刘海波 | 申请（专利权）人： | 南京华瑞微集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙) 32368 | 代理人： | 梁金娟 |
| 地址： | 211899 江苏省南京市浦*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种优化电特性的DMOS及其制造方法。该方法包括在衬底上制作外延层，在外延层上制作第二导电类型的耐压环区；在外延层上侧刻蚀形成LTO沟槽，向LTO沟槽内填满二氧化硅，改变LTO沟槽的宽度和深度，可以改变LTO沟槽区域周围的电场分布和各电学参数。本发明的DMOS在Rsp增加较小的前提下，大幅增加BVDSS和降低电容参数，优化其输出特性，降低工作损耗，且与现有工艺平台兼容，工艺实现简单且工艺窗口足够。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 特性 dmos 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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