[发明专利]具有肖特基二极管的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010116663.5 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN115377207A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 张永杰;陈伟钿;周永昌;李浩南;孙倩 | 申请（专利权）人： | 飞锃半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L27/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 王媛 |
| 地址： | 201302 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了具有肖特基二极管的半导体器件及其制造方法。根据一实施例，半导体器件包括：基底，基底具有第一面和第二面；阱区；源区，源区位于阱区中；接触区，接触区与阱区和源区接触；肖特基区；以及源金属层，源金属层的第一部分与肖特基区接触形成肖特基二极管，在与第一面朝向第二面的方向相垂直的第一平面内，肖特基区被阱区和接触区包围。本发明还提供了制造半导体器件的方法。根据本发明的半导体器件开关速度快、芯片密度高、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 肖特基 二极管 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞锃半导体（上海）有限公司，未经飞锃半导体（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010116663.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
