[发明专利]一种并行双片NAND FLASH中物理擦除块动态关联的方法有效
| 申请号： | 202010118401.2 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113391755B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 杨诚 | 申请（专利权）人： | 北京君正集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F12/02;G06F12/10 |
| 代理公司： | 北京嘉东律师事务所 11788 | 代理人： | 田欣欣 |
| 地址： | 100193 北京市海淀区西北旺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种并行双片NAND FLASH中物理擦除块动态关联的方法，包括以下步骤：S1在启动过程中，分别对所有物理擦除块进行扫描，对应构建两个链表用表a和表b表示，每个链表对象至少包含“块序列号”信息，根据坏块信息创建BBT；S2建立逻辑擦除块和物理擦除块之间的关联，创建逻辑块关联表p，表中每个节点用来描述逻辑擦除块分别对应的两个NAND FLASH的物理擦除块的块序列号；S3如果在使用过程中产生坏块，标记两片FLASH中的坏块，当两片FLASH均出现坏块，且坏块在表a和表b中非一一对应，则对应表a中的FLASH的坏块由对应表b中的FLASH坏块的表a中的好块去重新对应，根据逻辑擦除块的块序列号，更新表a或表b中对应的有效标志为无效，将表p中对应的坏块替换。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 并行 nand flash 物理 擦除 动态 关联 方法 | ||
【主权项】：
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