[发明专利]一种硒纳米线光电检测器及制备方法有效
申请号: | 202010118719.0 | 申请日: | 2020-02-26 |
公开(公告)号: | CN111384213B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 雷炜斌;齐瑞娟;成岩;张媛媛;黄荣 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/108;H01L31/0272;B82Y40/00;B82Y15/00 |
代理公司: | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人: | 徐筱梅;张翔 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种硒纳米线光电检测器及制备方法,所述光电检测器可用于检测可见光、紫外光。制备方法包括以下步骤:硒纳米线的合成、选取与转移、沉积等过程,制备出可应用于传感器、光电元件、量子导线、微激光器、电子探针、微型机械臂的硒纳米线,以及制备出对可见光、紫外光有灵敏响应的光电检测器。该器件的制备方法简单易行且成本低,为紫外可见光的检测提供极大的便利,十分具有产业利用价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 光电 检测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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