[发明专利]一种近红外光控双稳态场效应晶体管聚合物及其制备方法与应用有效

专利信息
申请号: 202010118848.X 申请日: 2020-02-26
公开(公告)号: CN111187399B 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 张德清;田健吾;刘子桐;张关心;张西沙 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: C07D401/00 分类号: C07D401/00;C08G61/12;H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种近红外光控双稳态场效应晶体管聚合物及其制备方法与应用。本发明聚合物的结构式如式Ⅰ所示:其式I中,Ar选自芳基、杂芳基、含有取代基的芳基和含有取代基的杂芳基中的任意一种,且其基团内部的键合方式选自单键、双键和三键中的至少一种;Fc选自杂芳基偶氮苯、二芳基乙烯以及含有取代基的杂芳基偶氮苯、二芳基乙烯中的任意一种。其制备方法通过碳碳偶联反应得到聚合物。本发明聚合物应用于制备场效应器件中,具体为近红外光控双稳态场效应晶体管。本发明利用侧链工程,在共轭聚合物侧链中引入了一定比例的响应性基团,结合上转换纳米粒子层的修饰,实现了利用600‑1500nm近红外光调控的快速,高效,稳定的场效应晶体管器件。
搜索关键词: 一种 红外 光控 双稳态 场效应 晶体管 聚合物 及其 制备 方法 应用
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