[发明专利]存储器装置在审
| 申请号： | 202010119160.3 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111952441A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 庄明谚;林文钦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种存储器装置，其包括自由层、穿隧阻挡层、盖层及分流结构。穿隧阻挡层位于半导体基板上的参考层上。自由层位于穿隧阻挡层上，且盖层位于自由层上。分流结构包括导电材料，并由自由层的外侧侧壁垂直地连续延伸至盖层的外侧侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 装置 | ||
【主权项】：
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