[发明专利]一种半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202010119889.0 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111216034B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 汪宁;苏永波;丁芃;王大海;金智 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B24B37/005 | 分类号： | B24B37/005;B24B37/04;B24B37/10;B24B37/14;B24B37/27;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 温可睿 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：采用GaSb晶圆作为衬底，在正面电路结构已经完成的情况下，对GaSb晶圆背面进行减薄时，采用第一磨盘和研磨液进行减薄，其中，第一磨盘上设置有碳化钨涂层，通过碳化钨涂层对GaSb晶圆的表面进行研磨，由于碳化钨与GaSb晶圆之间，不只是物理研磨，还包括化学反应，且碳化钨涂层的颗粒粒径在纳米级别，因此，对GaSb晶圆进行处理的减薄过程与抛光过程合二为一，从而能够减少减薄后抛光的过程，无需对厚度和误差进行再次进行修整和去除，从而减少了工艺过程，通过一体化减薄和抛光过程，即可达到传统意义上的镜面抛光要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010119889.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种三唑并嘧啶类除草剂的制备方法
- 下一篇：一种管式膜组件
