[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202010122418.5 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111834441A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 星保幸 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/10;H01L29/423;H01L27/02;H01L27/06;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供作为在与主半导体元件同一半导体基板具备电流感测部的半导体装置而能够提高寄生二极管的反向恢复耐量的半导体装置。电流感测部(12)的单位单元配置于主无效区(1b)的感测有效区(12a)。在主无效区(1b)的除了感测有效区(12a)以外的感测无效区(12b)中，在半导体基板的正面的表面区域设置有包围感测有效区的周围的n |
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| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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