[发明专利]抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器有效
| 申请号： | 202010123495.2 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111262529B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 邓世雄;陈书宾;罗建;要志宏;刘晓红;杨鹏;王乔楠;吴波;苏彦文;武康;史磊;贾晓亮;李省;王平 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于无线电系统技术领域，提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器，该方法包括：多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间，每级限幅电路的第二端的第一端口接地，第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，最后一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，中间级限幅电路的第二端的第二端口接地，中间级限幅电路为除第一级限幅电路和最后一级限幅电路之外的限幅电路，从而实现单片吸收式抗饱和限幅器，与现有的GaAs单片限幅器相比，线性度提高20dBc；采用该抗饱和限幅器，可以有效改善驱动放大器的过饱和问题，且耐功率及集成度高、装配简单、可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 饱和 限幅器 芯片 驱动 放大器 | ||
【主权项】：
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