[发明专利]基于Ga2有效

专利信息
申请号: 202010126020.9 申请日: 2020-02-27
公开(公告)号: CN111341841B 公开(公告)日: 2022-08-26
发明(设计)人: 董志华;周明;刘辉;王育天;李仕琦;刘国华;程知群 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H01L29/423 分类号: H01L29/423;H01L29/78;H01L29/778;H01L31/101
代理公司: 浙江永鼎律师事务所 33233 代理人: 陆永强
地址: 310018*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了基于Ga2O3/TiO2复合悬浮栅的异质结场效应管及其制备方法和紫外探测器件,至少包括源极、漏极、悬浮栅极以及至少一异质结沟道,源极和漏极通过异质结沟道电连接。其中,AlGaN/GaN异质结构中,AlGaN厚度低于足以产生二维电子气的临界厚度,因此在天然状态下,AlGaN/GaN异质结沟道中不存在二维电子气。在Ga2O3/TiO2悬浮栅结构中,TiO2位于所述AlGaN层之上,所述Ga2O3位于所述TiO2之上。与现有技术相比,本发明具有如下优点:(1)空穴和电子的瞬间分离,可以增加光生载流子的寿命,提高探测性能。(2)由于光生载流子和沟道电子感应速度极快,又由于二维电子气的高迁移率,所以光电流产生的速度极快,这将提高紫外探测器的响应速度。
搜索关键词: 基于 ga base sub
【主权项】:
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