[发明专利]一种用于锂离子电池的封装的硫阴极的制造方法在审
| 申请号： | 202010126278.9 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN111370659A | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 刘云霞 | 申请（专利权）人： | 重庆工业职业技术学院 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/052;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人： | 郝艳平 |
| 地址： | 401120 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于锂离子电池的封装的硫阴极的制造方法，通过将充足量的所述硫源沉积至所述中空碳纳米管的内部，空芯体积可完全被硫填充，或用所述硫源填充到它的保持容量，且保持所述中空碳纳米管的内部的剩余空间用于所述硫源的任何膨胀，有效阻止锂多硫化物在锂‑硫电池放电期间泄漏至电解质中，并且通过在包含硫‑碳复合物的阴极活性部表面上设置包含含有亲水部分和疏水部分的两亲聚合物的所述阴极涂层，两亲聚合物可与放电期间产生的锂多硫化物结合，并因此可抑制锂多硫化物溶解于电解质溶液中的现象，从而改善锂‑硫电池的循环特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 锂离子电池 封装 阴极 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆工业职业技术学院，未经重庆工业职业技术学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010126278.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
