[发明专利]一种二氧化钒和二维半导体的结型光探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种二氧化钒和二维半导体的结型光探测器及制备方法。该探测器首先通过磁控溅射在氧化铝衬底上生长了一层均匀的二氧化钒薄膜，然后利用光刻掩膜和氩等离子体刻蚀技术将二氧化钒薄膜刻蚀成阵列，随后通过干法转移将二维半导体转移到二氧化钒材料上，形成垂直结构的异质结，随后运用电子束光刻的方法结合剥离工艺在二氧化钒和二维半导体上制备金属电极，形成垂直结构的异质结型光探测器件。器件结构自下而上为衬底、二氧化钒、二维半导体和金属源漏电极。通过调控偏压，该器件可实现P‑N结和Bolometer转换，从而实现可见光至远红外波段光谱的探测，功耗低，灵敏度高，而且可在高温环境中工作。