[发明专利]一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202010128507.0 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111218626A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 田鹏 | 申请（专利权）人： | 江苏时代华宜电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C47/14 | 分类号： | C22C47/14;C22C49/06;B22F1/02;B22F1/00;B22F9/04;C22C101/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214205 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料，以重量计，包括以下原料：铝20～40份、镁6～10份、碳化硅微粉15～19份、碳纤维增强体10～20份、钛10～14份、铌2～6份、铂3～7份、铁10～20份、铜10～14份；本发明的有益效果是在原料中加入了钛、铌、铂和碳纤维增强体，从而使铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料的结构强度更高，防止铝基碳化硅高密度封装半导体复合材料在使用时发生损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 高密度 封装 半导体 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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