[发明专利]反射型掩膜的清洗装置、及反射型掩膜的清洗方法在审
申请号: | 202010128850.5 | 申请日: | 2015-02-19 |
公开(公告)号: | CN111308856A | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 松嶋大辅;出村健介;铃木将文;中村聪 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/82 | 分类号: | G03F1/82;G03F1/24;G03F7/004;G03F7/20;G03F7/42;B08B7/00 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 鹿屹;李雪春 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种能够抑制设置于反射型掩膜的含钌的覆盖层的光学特性的劣化的反射型掩膜的清洗装置、及反射型掩膜的清洗方法。具体而言,实施方式所涉及的反射型掩膜的清洗装置具备:第1供给部,向设置于反射型掩膜的含钌的覆盖层供给由还原性气体生成的等离子体生成物;及第2供给部,向所述覆盖层供给还原性溶液。 | ||
搜索关键词: | 反射 型掩膜 清洗 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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