[发明专利]工艺角检测方法及系统、设备、存储介质在审
| 申请号： | 202010129523.1 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN113327643A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 方佳斌;王颖倩;张欢 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 300380 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种工艺角检测方法及系统、设备、存储介质，工艺角检测方法用于获取SRAM单元器件的最差工艺角，SRAM单元器件包括上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管，包括：获取多个SRAM单元器件的电性数据，且同一个SRAM单元器件中的上拉晶体管、下拉晶体管和传输门晶体管的电性数据构成一组第一数据组；利用多个第一数据组建立三维正态分布模型，三维正态分布模型的形状为椭球体；从所述第一数据组中提取与所述椭球体的表面位置处相对应的多组待测数据组；对多组待测数据组进行仿真，获得多个相对应的写噪声容限；提取多个写噪声容限中的最小值所对应的待测数据组，作为最差工艺角。本发明提高工艺角检测的精准度。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 检测 方法 系统 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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