[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010130415.6 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN113327894A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 郑二虎;刘盼盼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L27/088;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成分立的核心层；在所述核心层的侧壁形成侧墙；去除所述核心层；去除所述核心层后，以所述侧墙为掩膜，图形化所述基底，形成鳍部，所述鳍部包括器件鳍部和伪鳍部；去除所述侧墙；对所述伪鳍部进行一次或多次的掺杂去除处理，去除所述伪鳍部；所述掺杂去除处理的步骤包括：对整个伪鳍部或部分厚度的伪鳍部进行离子掺杂，适于提高伪鳍部和器件鳍部的刻蚀选择比；去除掺杂有离子的伪鳍部。本发明实施例有利于增大鳍切(fin cut)工艺的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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