[发明专利]一种薄膜体电极的制作方法及薄膜有效
| 申请号： | 202010134870.3 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN111381077B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 齐成剑;唐秀凤;黄腾程;廖慧珍;张庆浩 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | G01R1/04 | 分类号： | G01R1/04;G01R27/08 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 赵琴娜 |
| 地址： | 529000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种薄膜体电极的制作方法，包括以下步骤：将薄膜放置在衬底上；通过磁控溅射将导电材料注入到薄膜两端形成薄膜体电极；通过快速退火工艺优化薄膜体电极与薄膜之间的接触。本发明通过磁控溅射可以使导电材料进入到薄膜的两端，并在薄膜的两端形成体电极，然后通过快速退火工艺可以使形成的体电极和薄膜良好结合。采用这种方式形成的带有体电极的薄膜，相较于传统的在薄膜外增加导电电极的方法，测量的薄膜的电学特性更为准确，同时制作方法也较为简单，并不需要十分复杂的工艺要求。此外，采用本方法制作的体电极在检测高阻薄膜时，检测的效果更为突出。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
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