[发明专利]存储结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种存储结构及其制备方法，通过在刻蚀停止层的相对两面分别形成第一堆叠结构及第二堆叠结构，且通过先制备沟道结构，后制备第二台阶堆叠结构及第一台阶堆叠结构，可有效解决台阶工艺所造成的第一沟道结构与第二沟道结构对准困难、沟道局部接触与第二沟道结构对准困难及公共源极局部接触与狭缝结构对准困难的问题；且本发明可减小台阶占用面积，制备高密度、高集成的存储结构；进一步的，本发明通过制备伪狭缝结构，将公共源极自基底侧引出，可从根本上解决公共源极局部接触与狭缝结构对准困难的问题，降低工艺难度及成本，减小狭缝结构占用面积。