[发明专利]一种提高钙钛矿薄膜稳定性的方法有效
| 申请号： | 202010136324.3 | 申请日： | 2020-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN111435709B | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 杭州纤纳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42 |
| 代理公司： | 杭州奥创知识产权代理有限公司 33272 | 代理人： | 杨文华 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种提高钙钛矿薄膜稳定性的方法，包括如下步骤：将表面含有钙钛矿薄膜的基片置于反应腔体，用惰性气体反复清洗反应腔体；向反应腔体内通入硫化氢气体使其与钙钛矿薄膜分子发生反应后在钙钛矿薄膜表面生成硫化物层；待反应结束后，用惰性气体反复清洗反应腔体，充气至常压，待反应腔体冷却后取出反应后的基片。本发明通过在钙钛矿薄膜材料的晶界与表面生成纳米级的硫化铅层，改变了钙钛矿材料表面及晶界处的化学组成，抑制钙钛矿的降解，从而提高钙钛矿薄膜材料的性能并延长其稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 钙钛矿 薄膜 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
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