[发明专利]用于多晶片图像传感器的具有同时读取和写入功能的DRAM有效
| 申请号： | 202010138781.6 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN111654651B | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 陈家明;柳勋;秦晴 | 申请（专利权）人： | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/378 | 分类号： | H04N5/378;H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;王艳春 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种逐像素块键合图像传感器具有包括多个像素块的像素阵列，该像素阵列具有将信号联接至ADC的选择电路。图像传感器具有DRAM超级块的图像RAM，每个超级块具有多个DRAM块，每个DRAM块具有三态输出，该三态输出驱动图像RAM输出总线，并且从多个ADC输入数据。每个DRAM块具有联接到读取地址和写入地址的地址多路复用器。每个超级块的各个DRAM块被同时写入，其数据宽于图像RAM输出总线的宽度。一种捕获和处理图像的方法，包括：通过ADC从像素块的像素中读取第一图像帧；在第一DRAM超级块中写入第一图像帧的数字像素数据；以及读取像素数据到对齐缓冲器中。该方法包括将读取第一图像帧与将第二图像帧写入第二超级块重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多晶 图像传感器 具有 同时 读取 写入 功能 dram | ||
【主权项】：
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