[发明专利]堆叠状的高截止的III-V族功率半导体二极管

摘要

一种堆叠状的高截止的III‑V族功率半导体二极管，具有p+或n+衬底层、p‑层、具有10μm‑150μm的层厚度的n‑区域、n+或p+层，其中，所有层包括GaAs化合物，还具有第一金属接通层、第二金属接通层和具有至少一个晶种开口的硬掩模层，其中，所述硬掩模层材料锁合地与所述衬底层或材料锁合地与所述p‑层连接，n‑区域在所述晶种开口内延伸，并且延伸到所述硬掩模层的所述上侧的与所述晶种开口邻接的边缘区域的上方，并且n‑区域在所述晶种开口内与所述p‑层或所述n+层连接，并且在所述硬掩模层的所述上侧的所述边缘区域中材料锁合地与所述硬掩模层连接。