[发明专利]FIB倒切制备TEM样品的方法有效
| 申请号： | 202010139073.4 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN111366428B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 林利昕 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01Q30/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种FIB倒切制备TEM样品的方法，包括：步骤一、将薄膜样品粘接在样品台上；步骤二、采用FIB对薄膜样品的远离样品台的第四侧面进行刻蚀直至露出图形结构；步骤三、采用FIB在第四侧面上进行划线并刻蚀形成两条凹槽线标记；步骤四、在凹槽线标记中填充金属层形成金属线标记；步骤五、采用FIB对薄膜样品的长边对应的第一侧面进行倒切的第二次刻蚀，终点位置由对应的金属线标记确定；步骤六、采用FIB对薄膜样品的长边对应的第二侧面进行倒切的第三次刻蚀，终点位置由对应的金属线标记确定；由第二和第三次刻蚀都完成后的薄膜样品组成TEM样品。本发明能快速判断样品的厚度，大幅减少样品厚度判断的时间，从而减少整体的制样时间。 | ||
| 搜索关键词： | fib 制备 tem 样品 方法 | ||
【主权项】：
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