[发明专利]一种晶圆硅片表面微蚀刻粗糙处理剂及其处理方法在审
| 申请号： | 202010139420.3 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN111320982A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 高小云;金炳生;赵俊男 | 申请（专利权）人： | 苏州晶瑞化学股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/08 | 分类号： | C09K13/08;H01L21/306;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆硅片表面微蚀刻粗糙处理剂，该微蚀刻粗糙处理剂按质量百分计包括以下组分：混合酸5％～45％；晶向腐蚀控制剂0.1％～1％；微泡消除剂5％～10％；余量为水。本发明还提供了一种利用该微蚀刻粗糙处理剂对晶圆硅片表面进行处理的方法。利用本发明的微蚀刻粗糙处理剂可以在较短的时间内，以较低的处理温度，对化学抛光研磨后的晶圆硅片表面进行微蚀刻粗糙处理，使其表面形成特殊的的均匀倒余旋图案纳米结构，这种表面结构使晶圆硅片表面的粗糙度参数达到微纳米级别，提高了后道工序中金属布线良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 表面 蚀刻 粗糙 处理 及其 方法 | ||
【主权项】：
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