[发明专利]切割芯片接合薄膜在审

专利信息
申请号: 202010139705.7 申请日: 2020-03-03
公开(公告)号: CN111647364A 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 木村雄大;杉村敏正;大西谦司;宍户雄一郎;福井章洋;高本尚英 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C09J7/24 分类号: C09J7/24;C09J7/29;C09J7/30;C09J133/08;C09J11/04;C09J11/08;H01L21/683
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供切割芯片接合薄膜,其适于在低温条件下实施用于得到带有粘接剂层的半导体芯片的扩展工序。本发明的切割芯片接合薄膜X具有包含切割带(10)及芯片接合薄膜(20)的层叠结构。切割带(10)的粘合剂层(12)侧的表面在对SUS平面在‑15℃、剥离角度180°及剥离速度300mm/分钟的条件下的剥离试验中显示出0.3N/20mm以上的剥离粘合力。芯片接合薄膜(20)以可剥离的方式密合于切割带(10)所具有的粘合剂层(12)。
搜索关键词: 切割 芯片 接合 薄膜
【主权项】:
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