[发明专利]一种提高青霉素产量的物理刺激方法在审
| 申请号： | 202010141081.2 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113337567A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 吴松杰;郑永平;董飞宏;张珏 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C12P37/00 | 分类号： | C12P37/00;C12N13/00;C12R1/82 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高青霉素产量的物理刺激方法。它包括如下步骤：1)制备大气压低温等离子体活化水PAW，进一步形成大气压低温等离子体活化固态培养基PASM以及大气压低温等离子体活化微泡PAB；2)将土壤分离所得的产黄青霉菌悬液接种于PASM，置于培养箱培养；3)将2)中培养完成的PASM制成产黄青霉菌孢子溶液，加入PAB后用纳秒脉冲功率技术刺激处理；4)将步骤1)中制备得到的PAW，基于剂量自动控制方法通过点滴方式加入到含有经过步骤3)处理过的产黄青霉菌孢子溶液的培养基中进行发酵，使得青霉素产量得到提高。本发明采用等离子体技术和纳秒脉冲电场技术干预产黄青霉，有效上调pcbAB，pcbC和penDE的表达，同时显著缩短产黄青霉的生长周期，大幅度提高青霉素产量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 青霉素 产量 物理 刺激 方法 | ||
【主权项】：
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