[发明专利]半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法

摘要

公开了半导体存储器装置和制造该半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置可以包括电容器，电容器包括第一电极和第二电极以及介电层。介电层可以包括氧化锆铝层，氧化锆铝层包括：第一锆区域，与第一电极相邻；第一铝区域；第二铝区域，与第二电极相邻；以及第二锆区域，位于第一铝区域与第二铝区域之间。第一锆区域和第二锆区域可以包括锆和氧，并且可以不包含铝。第一铝区域和第二铝区域可以包括铝和氧，并且可以不包含锆。第一铝区域和第一锆区域可以分隔开第一距离，第一铝区域和第二锆区域可以分隔开比第一距离短的第二距离。