[发明专利]半导体存储器结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010142975.3 | 申请日： | 2020-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN113363217A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 柯顺祥;林士杰 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体存储器结构及其形成方法，该方法包含形成硬遮罩层于半导体基底之上，刻蚀硬遮罩层以形成多个第一遮罩图案和多个第二遮罩图案，将第一遮罩图案和第二遮罩图案转移至半导体基底以形成多个半导体区块，以及薄化第二遮罩图案。在薄化第二遮罩图案之后，第二遮罩图案的厚度小于第一遮罩图案的厚度。此方法还包含形成第一盖层横向延伸于第一遮罩图案和第二遮罩图案之上，以及刻蚀第一盖层和第二遮罩图案以形成多个接触开口。本发明能够提升半导体存储器装置的可靠性和制造良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
