[发明专利]低电压存储器的存储器内建自测试纠错码（MBIST ECC）在审
| 申请号： | 202010143454.X | 申请日： | 2020-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111798912A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | D·I·哈纳甘迪;I·阿尔索夫斯基;M·A·齐格霍弗尔;V·H·奇卡诺斯凯;K·R·罗德哈 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42;G11C29/12;G06F11/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;杨晓光 |
| 地址： | 开曼群岛*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及低电压存储器的存储器内建自测试纠错码(MBIST ECC)。本公开涉及一种包括存储器内建自测试(MBIST)电路的结构，该电路被配置为修复存储器的滑动窗口的单个字线中多个图案的多单元故障。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 存储器 测试 纠错码 mbist ecc | ||
【主权项】：
暂无信息
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