[发明专利]重度掺杂掩埋层以减少MOSFET截止电容有效
| 申请号： | 202010145536.8 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN111668288B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 武鹏飞;F·J·斯泰格沃德;S·L·费恩特 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张丹 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及重度掺杂掩埋层以减少MOSFET截止电容。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)包括第一导电类型的源极区和漏极区。MOSFET另外包括第二导电类型的主体区域，其中主体区域位于源极区和漏极区的至少一部分下方。MOSFET还包括第一导电类型的掩埋区，其中掩埋区设置在所述主体区域和基板之间，其中掩埋区被配置为响应于在所述主体区域和所述掩埋区之间施加的指示电压来减小所述源极区和所述掩埋区之间的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 重度 掺杂 掩埋 减少 mosfet 截止 电容 | ||
【主权项】：
暂无信息
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