[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202010147264.5 | 申请日： | 2020-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113363226A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 金吉松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/535;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，在衬底上形成鳍部和隔离层，刻蚀隔离层和部分厚度的衬底，形成电源轨开口；沿电源轨开口继续刻蚀部分厚度的所述衬底，形成通孔；在电源轨开口以及通孔内形成第一牺牲层；回刻蚀所述第一牺牲层，至所述第一牺牲层的高度占所述通孔高度的20％～80％；在电源轨开口以及通孔内形成第一金属层；减薄衬底背面，直至第一牺牲层从衬底背面露出；去除全部第一牺牲层，露出第一金属层的背部表面；在第一金属层背面形成第二金属层，第二金属层背部表面与衬底背部表面齐平。本发明实施例提供的半导体结构的形成方法，在形成背部配电的同时，还可以实现高深宽比通孔的填充，从而提高半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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