[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 202010149238.6 | 申请日: | 2020-03-05 |
公开(公告)号: | CN111668245A | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 陈暎究;权容铉;金永灿;金世英;徐圣永;林茂燮;郑泰燮;崔成浩 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 范心田 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种图像传感器,包括多个像素,多个像素中的至少一个包括:光电二极管,被配置为响应于光而产生电荷;以及设置在基板上的像素电路,并且所述像素电路包括:存储晶体管,被配置为存储由光电二极管产生的电荷;以及转移晶体管,连接在存储晶体管与浮置扩散节点之间,其中,当转移晶体管处于关断状态时,存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有第一电势,而当转移晶体管处于接通状态时,存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有低于第一电势的第二电势。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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