[发明专利]图像传感器列处理模块隔直电容的实现方法有效
| 申请号： | 202010149469.7 | 申请日： | 2020-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN113365005B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 乔劲轩;李敏兰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H04N25/76 | 分类号： | H04N25/76;H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种图像传感器列处理模块隔直电容的实现方法，通过像素单元的输出信号端耦合至容值密度较高、耐压值较低的第一电容，参考信号端耦合至容值密度较低、耐压值较高的第二电容，以实现输出信号和参考信号在列处理模块的隔直，因此可以根据特定的情况（如工艺条件，芯片面积要求，应用环境等），灵活的选择隔直电容的电容类型、电容值大小以及版图布局，从而实现降低制造成本和芯片面积，确保元器件和电路的可靠性，优化图像传感器整体性能的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 处理 模块 电容 实现 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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