[发明专利]电容器的阵列、用于形成集成电路的方法,以及用于形成电容器的阵列的方法在审

专利信息
申请号: 202010150099.9 申请日: 2020-03-06
公开(公告)号: CN111987102A 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: S·L·莱特 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/11502 分类号: H01L27/11502;H01L49/02;H01L23/64
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请涉及电容器的阵列、用于形成集成电路的方法,以及用于形成电容器的阵列的方法。一种用于形成集成电路的方法包括形成竖向穿过包括第一材料和第二材料的堆叠的结构的阵列。所述结构相对于所述第一材料的最外部分竖直地投影。能量被引导到所述结构的竖直地投影部分上并且到在与竖直成角度的且在紧邻的所述结构之间沿着直线的方向上的所述第二材料上以形成到所述第二材料中的开口,所述开口沿着所述直线单独地在所述紧邻结构之间。公开了包含独立于方法的结构的其它实施例。
搜索关键词: 电容器 阵列 用于 形成 集成电路 方法 以及
【主权项】:
暂无信息
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